3D메모리특허, 커패시터를 겹쳐 한 셀에 더 담은 특허등록 사례
- #3D메모리특허적층 커패시터 구조를 포함하는 3D DRAM 메모리
- #특허등록10-2937092
- #소요기간특허출원 후 등록까지 17개월
사례 미리보기
3D메모리특허, 한 셀에 커패시터 둘과 트랜지스터 둘을 직렬로 이어 각각 따로 다루는 3D 디램이 특허등록됐습니다. 특허법인 테헤란이 진행한 출원 건의 등록 정보와, 3D메모리특허를 준비할 때 자주 나오는 질문을 함께 정리했습니다.
등록 개요
- 발명의 명칭
- 적층 커패시터 구조를 포함하는 3D DRAM 메모리
- 출원번호(일자)
- 10-2024-0122367 (2024.09.09)
- 등록번호(일자)
- 10-2937092 (2026.03.05)
2024.09.09
특허 출원
10-2024-0122367
2026.03.05
특허 등록
10-2937092
사례 소개
3D메모리특허는 평면에 더 촘촘히 그리는 데서 위로 쌓는 쪽으로 넘어왔습니다. 한 자리에 몇 개를 담느냐가 곧 용량이 되니까요.
트렌지스터 하나와 커패시터 하나
이번 사례는 적층 커패시터 구조를 포함하는 3D DRAM 메모리입니다. 기존 디램의 한 셀은 트랜지스터 하나와 커패시터 하나로 이루어지고, 그 하나의 셀이 한 비트를 담죠. 자리를 더 만들려면 셀 자체를 잘게 쪼개야 하는데, 그 방향은 이미 한계에 가까워졌습니다.
두 제어라인으로 나눠 켜는 구조
이 건은 제1트렌지스터를 워드라인인 제1제어라인에 물리고, 제1커패시터와 제2커패시터에 직렬로 잇습니다. 그리고 두 커패시터 사이에 제2트렌지스터를 직렬로 넣어 커패시터 라인인 제2제어라인에 물렸죠. 두 제어라인이 각각 따로 켜고 끌 수 있다는 점이 이 건의 자리인데요. 어느 쪽을 여느냐에 따라 두 커패시터를 함께 쓰기도, 하나만 쓰기도 하니 같은 면적에 담기는 정보가 늘어납니다. 청구항은 공정 조건이 아니라 두 트렌지스터와 두 커패시터, 두 제어라인의 연결 관계로 세웠습니다.
본 3D메모리특허 건은 특허출원에서 등록까지 약 17개월이 걸렸습니다.
자주 묻는 질문
Q1.개인도 반도체 분야를 낼 수 있나요?
출원인 자격에 제한은 없습니다. 다만 선행자료가 두꺼워 좁혀 적어야 합니다. 먼저 선행조사로 빈자리를 찾습니다.
Q2.회로 구성만으로 등록되나요?
소자의 연결 관계가 새로우면 됩니다. 공정까지 적을 필요는 없습니다. 무엇이 어디에 붙는지가 중심입니다.
Q3.해외에도 내려면 언제까지 정해야 하나요?
우선권을 쓰려면 첫 출원일로부터 1년 안에 정합니다. 이 분야는 주요국 출원이 중요합니다. 미리 상의합니다.
Next Step
이제, 아이디어를
권리로 만들 시간입니다.
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